Eldorado desenvolve primeiro transistor de potência MOSFET em SiC no Brasil

O ELDORADO – um dos principais institutos de pesquisa e desenvolvimento do País – acaba de alcançar um marco importante para a microeletrônica no Brasil: o desenvolvimento do primeiro transistor MOSFET planar de potência realizado em Carbeto de Silício (SiC). O dispositivo desenvolvido possui características industriais e é adequado para uso em sistemas de geração […]